导师类别：

硕士生导师

科研方向：

使用超级计算机及并行机应用VASP、WIEN2k和Materials. Studio等计算软件，计算模拟：1、长余辉发光材料　2、新能源材料的物理问题。

联系方式：

duanhe2008@yeah.net

硕士招生学院：

物理与光电工程学院

个人简述

(限300字)

段鹤，女，博士，副教授，硕士生导师。2008年，中科院上海技术物理研究所获理学博士。研究领域为基于密度泛函理论框架中的第一性原理计算方法，计算模拟凝聚态物质中的杂质缺陷，为材料生长及应用出现的物理问题提供理论支持。已承担课题有：1）广东工业大学博士启动基金，2008年，碲镉汞材料砷掺杂自补偿效应微观机理的研究（课题负责人）2）国家自然科学基金（理论物理专项），2009年，碲镉汞材料砷掺杂机理的第一性原理研究研究（课题负责人），目前在研课题：国家自然科学基金（青年基金），2015－2017年，硅酸盐长余辉发光材料长余辉机理的第一性原理研究（课题负责人）。近年来，在Physical Review B，Physics Letters A，Solid State Communications，Journal of   Physics and Chemistry of Solids, Journal of Electronic Materials等凝聚态物理学科国际知名刊物发表SCI论文20余篇。

学科领域

电子科学与技术

教育背景

2004～2008  中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室微电子与固体电子学专业，博士

2001～2004  新疆大学材料物理与化学专业，硕士

1997～2001  新疆大学应用物理专业，学士

工作经历

2008年1月至今 广东工业大学物理与光电工程学院

主要荣誉

2012年，入选广东省“千百十工程”校级培养对象

主要论文

1. He Duan, You-Zhong Dong, Zhi-Pin Lin, Xin Zhang, Yan   Huang, and Xiao-Shuang Chen. Energetics of VHg-related defects in As-doped   HgCdTe. Int. J. Mod Phys B, 27 (2013) 1350178 (10 pages).

2. He Duan, You-Zhong Dong, Jie Luo, Yan Huang,   Xiao-Shuang Chen, and Wei Lu. Sources of carrier compensation in   arsenic-doped HgCdTe. J. Phys Chem Solids. 74 (2013) 57-64.

3. He Duan, You-Zhong Dong, Yan Huang, and Xiao-Shuang   Chen, and Wei Lu.  Model of VHg Incorporation in Arsenic-Doped HgCdTe:   First-Principles Calculations. J. Electron. Mater. 42 (2013) 1010-1016.

4. He Duan, You-Zhong Dong, Zhi-Pin Lin, Yan Huang,   Xiao-Shuang Chen, and Wei Lu. The important features of VHg-related defects   in arsenic-doped HgCdTe, Solid State Commun. 152 (2012) 1725-1728.

5. He Duan, You-Zhong Dong, Yan Huang, and Xiao-Shuang   Chen. Abnormal physics of group-II telluride system: valence contribution of   d electrons. Chin. Phys. B. 20 (2011) 043103.

6. He Duan, You-Zhong Dong, Xiao-Shuang Chen, Yi-Hua Hu,   Yin-Hai Wang, and Wei Lu. Compensation mechanism for As donor in Hg1−xCdxTe: The case of AsHg–VHg pair. Phys. Lett. A. 374 (2010) 4471-4474.

7. He Duan, Xiao-Shuang Chen, Yan Huang, Xiao-Hao Zhou,   Li-Zhong Sun, and Wei Lu. Composition-dependent electronic properties,   optical transitions, and anionic relaxations of Cd1−xZnxTe alloys from first principles.   Phys. Rev. B. 76 (2007) 035209.

8. He Duan, Xiao-Shuang Chen, Yan Huang, and Wei Lu.   First-principles study of arsenic impurity clusters in molecular beam epitaxy   (MBE) grown HgCdTe. Solid State Commun. 143 (2007) 471-475.

9. He Duan, Xiao-Shuang Chen, Yan Huang, and Wei Lu.   Microscopic origin of electrical compensation in arsenic-doped HgCdTe by   molecular beam epitaxy: Density functional study. J. Electron. Mater. 36   (2007) 890-894.

10. He Duan, Xiao-Shuang Chen, Yan Huang, Liang Wang, and   Wei Lu. First-principles study of fundamental properties and electronic   structure of Cd1-xZnxTe alloys. Phys. Lett. A. 370 (2007) 517-521.

11. He Duan, Yu-Feng Zheng, You-Zhong Dong, Xiao-Gang   Zhang, and Yan-Fei Sun. Pyrite (FeS2) films prepared via sol-gel hydrothermal   method combined with electrophoretic deposition (EPD).  Mater. Res.   Bull. 39 (2004) 1861-1868.

科研项目

1）广东工业大学博士启动基金（No.   083034），碲镉汞材料砷掺杂自补偿效应微观机理的研究（2008.1-2008.12），课题负责人

2）国家自然科学基金（理论物理专项）（No.   10847111），碲镉汞材料砷掺杂机理的第一性原理研究研究（2009.1-2009.12），课题负责人

3) 国家自然科学基金（青年基金）（No.   11404066），硅酸盐长余辉发光材料长余辉机理的第一性原理研究（2015.1-2017.12），课题负责人

教学活动

主讲《大学物理》课程